casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IXTP08N100D2
Número de pieza del fabricante | IXTP08N100D2 |
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Número de parte futuro | FT-IXTP08N100D2 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IXTP08N100D2 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 1000V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 800mA (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21 Ohm @ 400mA, 0V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 14.6nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 325pF @ 25V |
Característica FET | Depletion Mode |
Disipación de potencia (max) | 60W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220AB |
Paquete / Caja | TO-220-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXTP08N100D2 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IXTP08N100D2-FT |
IXTH52P10P
IXYS
IXTH64N10L2
IXYS
IXTH64N65X
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IXTH96N20P
IXYS
IXTH96N25T
IXYS
LCMXO1200E-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A1020B-2PQ100C
Microsemi Corporation
XC6SLX9-2FT256I
Xilinx Inc.
A3PN125-1VQ100
Microsemi Corporation
EP2A15F672C7AA
Intel
EP3CLS70U484I7
Intel
5SGSED6K2F40C3N
Intel
EP4CE10E22C9L
Intel
LFE3-70E-8FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K600EBC652-1X
Intel