casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IXTH96N25T
Número de pieza del fabricante | IXTH96N25T |
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Número de parte futuro | FT-IXTH96N25T |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchHV™ |
IXTH96N25T Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 250V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 96A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 29 mOhm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 114nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 6100pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 625W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-247 (IXTH) |
Paquete / Caja | TO-247-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXTH96N25T Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IXTH96N25T-FT |
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M1A3P250-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP3C80F484C7N
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10M50SCE144C8G
Intel
LCMXO2-7000HC-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S80F1508C6
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Intel
EPF10K130EQC240-3N
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