casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IXTR120P20T
Número de pieza del fabricante | IXTR120P20T |
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Número de parte futuro | FT-IXTR120P20T |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchP™ |
IXTR120P20T Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 200V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 90A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 32 mOhm @ 60A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 740nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±15V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 73000pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 595W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | ISOPLUS247™ |
Paquete / Caja | TO-247-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXTR120P20T Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IXTR120P20T-FT |
IXFX62N25
IXYS
IXFX64N50P
IXYS
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IXYS
IXFR80N50Q3
IXYS
XC3S1600E-5FGG320C
Xilinx Inc.
XC3S250E-4VQ100I
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-FG484I
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-6900C-6BG400C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX50CF23C7
Intel
5SGXEA3K1F40C2L
Intel
5SGXMA3K2F40C2LN
Intel
5SGXEB6R3F43C2LN
Intel
XC6VLX195T-3FFG784C
Xilinx Inc.
5CGXFC4C7U19C8N
Intel