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IXYS IXTL2N470

Número de pieza de MFG
IXTL2N470
Cantidad disponible
52890 Piezas
Precio de referencia
USD 55.8848
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Fecha de envío
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fabricante
IXYS
Breve descripción
- MOSFET N-CH
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
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Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de parte futuro FT-IXTL2N470
SPQ / MOQ Contáctenos
Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie -
IXTL2N470 Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 4700V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 2A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 6V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 180nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 6860pF @ 25V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 220W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor ISOPLUSi5-Pak™
Paquete / Caja ISOPLUSi5-Pak™
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXTL2N470 Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto IXTL2N470-FT

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