casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IXFJ20N85X
Número de pieza del fabricante | IXFJ20N85X |
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Número de parte futuro | FT-IXFJ20N85X |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HiPerFET™ |
IXFJ20N85X Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 850V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 9.5A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 360 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 2.5mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 63nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1660pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 110W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | ISO TO-247-3 |
Paquete / Caja | TO-247-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFJ20N85X Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IXFJ20N85X-FT |
IXTN200N10T
IXYS
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XCV50-6TQ144C
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Lattice Semiconductor Corporation
LFE5UM-45F-8BG554C
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL250V5-VQ100
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EPF10K100ABC600-1
Intel
5SGXMA5K1F40C2LN
Intel
XC4013E-2HQ208I
Xilinx Inc.
XC2VP2-6FF672I
Xilinx Inc.
XC6SLX9-L1CPG196C
Xilinx Inc.
M1AGL1000V2-FGG144I
Microsemi Corporation