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IXTN210P10T Image

IXYS IXTN210P10T

Número de pieza de MFG
IXTN210P10T
Cantidad disponible
13520 Piezas
Precio de referencia
USD 27.632
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Fecha de envío
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fabricante
IXYS
Breve descripción
TrenchP™ MOSFET P-CH 100V 210A SOT-227
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de parte futuro FT-IXTN210P10T
SPQ / MOQ Contáctenos
Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie TrenchP™
IXTN210P10T Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET P-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 210A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5 mOhm @ 105A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 740nC @ 10V
Vgs (Max) ±15V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 69500pF @ 25V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 830W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Chassis Mount
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-227B
Paquete / Caja SOT-227-4, miniBLOC
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXTN210P10T Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto IXTN210P10T-FT

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