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IXYS IXTH1N200P3

Name: IXTH1N200P3
Brand: IXYS
SKU: IXTH1N200P3
Price: 5.064 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (669 reviews)

Número de pieza de MFG: IXTH1N200P3

Cantidad disponible: 38090 Piezas

Precio de referencia: USD 5.064

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fabricante: IXYS

Breve descripción: - MOSFET N-CH 2000V 1A TO-247

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: IXTH1N200P3.pdf

IXTH1N200P3 Presupuesto

Número de pieza del fabricante	IXTH1N200P3
Número de parte futuro	FT-IXTH1N200P3
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
IXTH1N200P3 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	2000V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	1A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	40 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	23.5nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	646pF @ 25V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	125W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-247 (IXTH)
Paquete / Caja	TO-247-3
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXTH1N200P3 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	IXTH1N200P3-FT

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