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IXYS IXTH1N170DHV

Name: IXTH1N170DHV
Brand: IXYS
SKU: IXTH1N170DHV
Price: 7.5184 USD
Availability: InStock
Rating: 4.5 (641 reviews)

Número de pieza de MFG: IXTH1N170DHV

Cantidad disponible: 41470 Piezas

Precio de referencia: USD 7.5184

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fabricante: IXYS

Breve descripción: - MOSFET N-CH

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: IXTH1N170DHV.pdf

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IXTH1N170DHV Presupuesto

Número de pieza del fabricante	IXTH1N170DHV
Número de parte futuro	FT-IXTH1N170DHV
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
IXTH1N170DHV Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	1700V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	1A (Tj)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	0V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	16 Ohm @ 500mA, 0V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	47nC @ 5V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	3090pF @ 25V
Característica FET	Depletion Mode
Disipación de potencia (max)	290W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-247HV
Paquete / Caja	TO-247-3 Variant
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXTH1N170DHV Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	IXTH1N170DHV-FT

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