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IXYS IXTA80N10T7

Número de pieza de MFG
IXTA80N10T7
Cantidad disponible
54340 Piezas
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fabricante
IXYS
Breve descripción
TrenchMV™ MOSFET N-CH 100V 80A TO-263-7
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
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Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie TrenchMV™
IXTA80N10T7 Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 80A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 100µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 60nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 3040pF @ 25V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 230W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor TO-263-7 (IXTA..7)
Paquete / Caja TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXTA80N10T7 Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto IXTA80N10T7-FT

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