casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IXFX26N60Q
Número de pieza del fabricante | IXFX26N60Q |
---|---|
Número de parte futuro | FT-IXFX26N60Q |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HiPerFET™ |
IXFX26N60Q Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 600V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 26A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 250 mOhm @ 13A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 4mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 200nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 5100pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 360W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | PLUS247™-3 |
Paquete / Caja | TO-247-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFX26N60Q Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IXFX26N60Q-FT |
IXFX360N15T2
IXYS
IXFX230N20T
IXYS
IXFX64N60P
IXYS
IXFX120N65X2
IXYS
IXTX32P60P
IXYS
IXFX44N80P
IXYS
IXFX140N30P
IXYS
IXFX98N50P3
IXYS
IXFX48N50Q
IXYS
IXTX60N50L2
IXYS
A3P030-2QNG68I
Microsemi Corporation
A1425A-1PQ100I
Microsemi Corporation
XC4052XL-09HQ304C
Xilinx Inc.
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
A3P250L-VQG100I
Microsemi Corporation
EP3CLS100F484C7
Intel
EP2AGX125DF25C4N
Intel
EP2AGX65DF25C5
Intel
5CEBA5U19C8N
Intel
EP1C20F324I7N
Intel