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IXYS IXFX120N65X2

Name: IXFX120N65X2
Brand: IXYS
SKU: IXFX120N65X2
Price: 14.504 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (537 reviews)

Número de pieza de MFG: IXFX120N65X2

Cantidad disponible: 35600 Piezas

Precio de referencia: USD 14.504

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fabricante: IXYS

Breve descripción: HiPerFET™ MOSFET N-CH 650V 120A PLUS247

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: IXFX120N65X2.pdf

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IXFX120N65X2 Presupuesto

Número de pieza del fabricante	IXFX120N65X2
Número de parte futuro	FT-IXFX120N65X2
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	HiPerFET™
IXFX120N65X2 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	650V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	120A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	24 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5.5V @ 8mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	225nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	15500pF @ 25V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	1250W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor	PLUS247™-3
Paquete / Caja	TO-247-3
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXFX120N65X2 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	IXFX120N65X2-FT

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