casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IXFX21N100Q
Número de pieza del fabricante | IXFX21N100Q |
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Número de parte futuro | FT-IXFX21N100Q |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HiPerFET™ |
IXFX21N100Q Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 1000V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 21A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500 mOhm @ 10.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 4mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 170nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 6900pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 500W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | PLUS247™-3 |
Paquete / Caja | TO-247-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFX21N100Q Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IXFX21N100Q-FT |
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Xilinx Inc.
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M7A3P1000-FGG256I
Microsemi Corporation
A40MX04-1PL68
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EP1M350F780C6
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LCMXO2-2000HE-6FTG256C
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LFXP2-40E-6FN484I
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10AX066H1F34I1SG
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