casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IXFV26N50P
Número de pieza del fabricante | IXFV26N50P |
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Número de parte futuro | FT-IXFV26N50P |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HiPerFET™, PolarHT™ |
IXFV26N50P Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 500V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 26A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 230 mOhm @ 13A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 4mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 60nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 3600pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 400W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | PLUS220 |
Paquete / Caja | TO-220-3, Short Tab |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFV26N50P Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IXFV26N50P-FT |
IXFE48N50QD2
IXYS
IXFE48N50QD3
IXYS
IXFE50N50
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IXFE55N50
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