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IXYS IXFT9N80Q

Número de pieza de MFG
IXFT9N80Q
Cantidad disponible
20900 Piezas
Precio de referencia
USD 8.888
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fabricante
IXYS
Breve descripción
HiPerFET™ MOSFET N-CH 800V 9A TO-268
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de parte futuro FT-IXFT9N80Q
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie HiPerFET™
IXFT9N80Q Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 800V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 9A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.1 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 56nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 2200pF @ 25V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 180W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor TO-268
Paquete / Caja TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXFT9N80Q Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto IXFT9N80Q-FT

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