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IXYS IXFT320N10T2

Name: IXFT320N10T2
Brand: IXYS
SKU: IXFT320N10T2
Price: 9.664536 USD
Availability: InStock
Rating: 4.5 (122 reviews)

Número de pieza de MFG: IXFT320N10T2

Cantidad disponible: 26820 Piezas

Precio de referencia: USD 9.664536

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fabricante: IXYS

Breve descripción: GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™ MOSFET N-CH 100V 320A TO-26

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: IXFT320N10T2.pdf

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IXFT320N10T2 Presupuesto

Número de pieza del fabricante	IXFT320N10T2
Número de parte futuro	FT-IXFT320N10T2
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™
IXFT320N10T2 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	320A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.5 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	430nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	26000pF @ 25V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	1000W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-268
Paquete / Caja	TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXFT320N10T2 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	IXFT320N10T2-FT

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