casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IXFN36N110P
Número de pieza del fabricante | IXFN36N110P |
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Número de parte futuro | FT-IXFN36N110P |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Polar™ |
IXFN36N110P Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 1100V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 36A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 240 mOhm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 6.5V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 350nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 23000pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 1000W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-227B |
Paquete / Caja | SOT-227-4, miniBLOC |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFN36N110P Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IXFN36N110P-FT |
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Xilinx Inc.
LCMXO2-7000ZE-1FTG256C
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LCMXO2-4000HE-6MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA7D4F31I5N
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EP4SGX230HF35I4N
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