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IXYS IXFN70N60Q2

Número de pieza de MFG
IXFN70N60Q2
Cantidad disponible
29330 Piezas
Precio de referencia
USD 32.104
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fabricante
IXYS
Breve descripción
HiPerFET™ MOSFET N-CH 600V 70A SOT-227B
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
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Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie HiPerFET™
IXFN70N60Q2 Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 70A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80 mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 8mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 265nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 7200pF @ 25V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 890W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Chassis Mount
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-227B
Paquete / Caja SOT-227-4, miniBLOC
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXFN70N60Q2 Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto IXFN70N60Q2-FT

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