casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IXFN70N60Q2
Número de pieza del fabricante | IXFN70N60Q2 |
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Número de parte futuro | FT-IXFN70N60Q2 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HiPerFET™ |
IXFN70N60Q2 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 600V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 70A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80 mOhm @ 35A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 8mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 265nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 7200pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 890W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-227B |
Paquete / Caja | SOT-227-4, miniBLOC |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFN70N60Q2 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IXFN70N60Q2-FT |
IXFH30N50
IXYS
IXFH30N50Q
IXYS
IXFH30N60Q
IXYS
IXFH32N50
IXYS
IXFH32N50Q
IXYS
IXFH35N30
IXYS
IXFH36N55Q
IXYS
IXFH36N55Q2
IXYS
IXFH40N30
IXYS
IXFH40N30Q
IXYS
A3P1000L-FG484
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M1A3P600L-FGG484
Microsemi Corporation
A54SX32A-CQ256B
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5SEEBF45C3N
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5SGXEABN2F45I2N
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XC6SLX45-N3CSG324C
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XC6SLX45T-N3CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2M20SE-7F484C
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10AX090N4F40I3LG
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EP2C20Q240C8N
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