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IXYS IXFL38N100P

Número de pieza de MFG
IXFL38N100P
Cantidad disponible
18330 Piezas
Precio de referencia
USD 16.7008
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fabricante
IXYS
Breve descripción
HiPerFET™, PolarP2™ MOSFET N-CH 1000V 29A I5-PAK
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
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Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de parte futuro FT-IXFL38N100P
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie HiPerFET™, PolarP2™
IXFL38N100P Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 1000V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 29A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 230 mOhm @ 19A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 6.5V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 350nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 24000pF @ 25V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 520W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor ISOPLUSi5-Pak™
Paquete / Caja ISOPLUSi5-Pak™
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXFL38N100P Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto IXFL38N100P-FT

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