casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IXFH80N06
Número de pieza del fabricante | IXFH80N06 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-IXFH80N06 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IXFH80N06 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 80A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | - |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | - |
Temperatura de funcionamiento | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-247AD (IXFH) |
Paquete / Caja | TO-247-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFH80N06 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IXFH80N06-FT |
IXFH22N60P
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M2GL050-VFG400I
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5SGSMD4K2F40I3LN
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EP3SE260F1152I4N
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LCMXO2-4000HC-6FTG256C
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LFE3-95E-8FN672I
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