casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IXFH24N60X
Número de pieza del fabricante | IXFH24N60X |
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Número de parte futuro | FT-IXFH24N60X |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HiPerFET™ |
IXFH24N60X Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 600V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 24A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 175 mOhm @ 12A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 2.5mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 47nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1910pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 400W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-247-3 |
Paquete / Caja | TO-247-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFH24N60X Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IXFH24N60X-FT |
IXTT12N140
IXYS
IXTT16P20
IXYS
IXTT1N100
IXYS
IXTT36N50P
IXYS
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IXYS
LFEC3E-4T144C
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A42MX24-3PQ208
Microsemi Corporation
5SGXMA9N3F45I3N
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XCS40-4BG256C
Xilinx Inc.
XC6SLX16-3CSG324C
Xilinx Inc.
APA750-FGG676I
Microsemi Corporation
LFXP2-8E-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFX125EB-03F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC33E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC3B7U15C8N
Intel