casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IXFH56N30X3
Número de pieza del fabricante | IXFH56N30X3 |
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Número de parte futuro | FT-IXFH56N30X3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HiPerFET™ |
IXFH56N30X3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 300V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 56A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 27 mOhm @ 28A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1.5mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 56nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 3.75nF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 320W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-247 |
Paquete / Caja | TO-247-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFH56N30X3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IXFH56N30X3-FT |
IXFT50N30Q3
IXYS
IXFT50N20
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LFXP3C-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
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Microsemi Corporation
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5SGSED6K2F40C2N
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5SGXEA5K1F35I2N
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Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HE-6BG332C
Lattice Semiconductor Corporation