casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IXFH12N100P
Número de pieza del fabricante | IXFH12N100P |
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Número de parte futuro | FT-IXFH12N100P |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HiPerFET™, PolarP2™ |
IXFH12N100P Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 1000V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 12A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.05 Ohm @ 6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 80nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 4080pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 463W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-247AD (IXFH) |
Paquete / Caja | TO-247-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFH12N100P Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IXFH12N100P-FT |
IXFH21N50F
IXYS-RF
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LCMXO2-7000HE-6TG144C
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Xilinx Inc.
LFE3-35EA-7LFN484I
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LCMXO3LF-1300E-5MG121I
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5CGXFC7C6U19A7N
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