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IXYS IXFC26N50

Número de pieza de MFG
IXFC26N50
Cantidad disponible
78920 Piezas
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fabricante
IXYS
Breve descripción
HiPerFET™ MOSFET N-CH 500V 23A ISOPLUS220
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
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Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de parte futuro FT-IXFC26N50
SPQ / MOQ Contáctenos
Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie HiPerFET™
IXFC26N50 Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 500V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 23A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 4mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 135nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 4200pF @ 25V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 230W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor ISOPLUS220™
Paquete / Caja ISOPLUS220™
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXFC26N50 Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto IXFC26N50-FT

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