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IXYS IXFA3N120

Name: IXFA3N120
Brand: IXYS
SKU: IXFA3N120
Price: 4.37888 USD
Availability: InStock
Rating: 4.5 (269 reviews)

Número de pieza de MFG: IXFA3N120

Cantidad disponible: 91790 Piezas

Precio de referencia: USD 4.37888

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fabricante: IXYS

Breve descripción: HiPerFET™ MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: IXFA3N120.pdf

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IXFA3N120 Presupuesto

Número de pieza del fabricante	IXFA3N120
Número de parte futuro	FT-IXFA3N120
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	HiPerFET™
IXFA3N120 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	1200V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	3A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.5 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 1.5mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	39nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	1050pF @ 25V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	200W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-263 (IXFA)
Paquete / Caja	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXFA3N120 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	IXFA3N120-FT

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