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ON Semiconductor ISL9N303AS3ST

Name: ISL9N303AS3ST
Brand: ON Semiconductor
SKU: ISL9N303AS3ST
Availability: InStock
Rating: 4.7 (519 reviews)

Número de pieza de MFG: ISL9N303AS3ST

Cantidad disponible: 42340 Piezas

Precio de referencia: USD 0

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: ON Semiconductor

Breve descripción: UltraFET™ MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: ISL9N303AS3ST.pdf

ISL9N303AS3ST Presupuesto

Número de pieza del fabricante	ISL9N303AS3ST
Número de parte futuro	FT-ISL9N303AS3ST
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	UltraFET™
ISL9N303AS3ST Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	75A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.2 mOhm @ 75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	172nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	7000pF @ 15V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	215W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	D²PAK (TO-263AB)
Paquete / Caja	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
ISL9N303AS3ST Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	ISL9N303AS3ST-FT

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