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ON Semiconductor FQB9N08TM

Número de pieza de MFG
FQB9N08TM
Cantidad disponible
67630 Piezas
Precio de referencia
USD 0
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Fecha de envío
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fabricante
ON Semiconductor
Breve descripción
QFET® MOSFET N-CH 80V 9.3A D2PAK
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de pieza del fabricante FQB9N08TM
Número de parte futuro FT-FQB9N08TM
SPQ / MOQ Contáctenos
Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie QFET®
FQB9N08TM Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 80V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 9.3A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 210 mOhm @ 4.65A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 7.7nC @ 10V
Vgs (Max) ±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 250pF @ 25V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 3.75W (Ta), 40W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor D²PAK (TO-263AB)
Paquete / Caja TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FQB9N08TM Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto FQB9N08TM-FT

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