casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FQB13N06TM
Número de pieza del fabricante | FQB13N06TM |
---|---|
Número de parte futuro | FT-FQB13N06TM |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | QFET® |
FQB13N06TM Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 13A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 135 mOhm @ 6.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 7.5nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±25V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 310pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 3.75W (Ta), 45W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | D²PAK (TO-263AB) |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQB13N06TM Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FQB13N06TM-FT |
FDB9403L-F085
ON Semiconductor
FCB20N60-F085
ON Semiconductor
FDB7030BL
ON Semiconductor
FDB86366-F085
ON Semiconductor
FDB150N10
ON Semiconductor
FDB86363-F085
ON Semiconductor
FDB2552
ON Semiconductor
FDB082N15A
ON Semiconductor
FDB86135
ON Semiconductor
FDB070AN06A0
ON Semiconductor
LFXP6E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
EX64-TQG100I
Microsemi Corporation
XCV1000E-8FG900C
Xilinx Inc.
A3P400-1FGG484I
Microsemi Corporation
A3P600-1FG256I
Microsemi Corporation
EP3SE50F484I3
Intel
EP2AGX125DF25C5N
Intel
5SGXMA7N2F45I2N
Intel
5SGXMA5H2F35C2LN
Intel
EP3SL150F780C4
Intel