casa / productos / Inductores, bobinas, bobinas / Inductores fijos / ISC1210EBR82M
Número de pieza del fabricante | ISC1210EBR82M |
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Número de parte futuro | FT-ISC1210EBR82M |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | ISC-1210 |
ISC1210EBR82M Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Iron Powder |
Inductancia | 820nH |
Tolerancia | ±20% |
Valoración actual | 450mA |
Corriente - Saturación | - |
Blindaje | Shielded |
Resistencia DC (DCR) | 500 mOhm Max |
Q @ Freq | 40 @ 25.2MHz |
Frecuencia - Auto-resonante | 160MHz |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 125°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 25.2MHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 1210 (3225 Metric) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 1210 |
Tamaño / Dimensión | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.095" (2.41mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ISC1210EBR82M Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | ISC1210EBR82M-FT |
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Xilinx Inc.
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Xilinx Inc.
M1AGL600V5-FG256
Microsemi Corporation
U1AFS600-FG256
Microsemi Corporation
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Microsemi Corporation
EP3C25F256C8
Intel
5SGXEA5H1F35C2L
Intel
XC2V3000-4BG728I
Xilinx Inc.
A42MX24-TQ176
Microsemi Corporation