casa / productos / Inductores, bobinas, bobinas / Inductores fijos / ISC1210EB10NM
Número de pieza del fabricante | ISC1210EB10NM |
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Número de parte futuro | FT-ISC1210EB10NM |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | ISC-1210 |
ISC1210EB10NM Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Non-Magnetic |
Inductancia | 10nH |
Tolerancia | ±20% |
Valoración actual | 810mA |
Corriente - Saturación | - |
Blindaje | Shielded |
Resistencia DC (DCR) | 100 mOhm Max |
Q @ Freq | 50 @ 50MHz |
Frecuencia - Auto-resonante | 1GHz |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 125°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 50MHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 1210 (3225 Metric) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 1210 |
Tamaño / Dimensión | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.095" (2.41mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ISC1210EB10NM Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | ISC1210EB10NM-FT |
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Xilinx Inc.
M1A3P600-1FGG484
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A3P250-1FGG256
Microsemi Corporation
A3PN125-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP20K300EBC672-2X
Intel
10AX016C3U19E2LG
Intel
APA075-FGG144A
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-5FG484I
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ICE40LP384-CM81TR
Lattice Semiconductor Corporation