casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / IS66WVC2M16ALL-7010BLI-TR
Número de pieza del fabricante | IS66WVC2M16ALL-7010BLI-TR |
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Número de parte futuro | FT-IS66WVC2M16ALL-7010BLI-TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IS66WVC2M16ALL-7010BLI-TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | PSRAM |
Tecnología | PSRAM (Pseudo SRAM) |
Tamaño de la memoria | 32Mb (2M x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 70ns |
Tiempo de acceso | 70ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.95V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 54-VFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 54-VFBGA (6x8) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IS66WVC2M16ALL-7010BLI-TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IS66WVC2M16ALL-7010BLI-TR-FT |
W989D2DBJX6I
Winbond Electronics
W989D2DBJX6I TR
Winbond Electronics
W25Q16DVUZIG TR
Winbond Electronics
GD25LQ32DNIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
W25Q16FWUUIQ TR
Winbond Electronics
W25Q16JVUUIQ TR
Winbond Electronics
GD25LQ16CNIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q16CNIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q32CNIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q80CNIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
XA6SLX25-2FTG256I
Xilinx Inc.
LFE2-20SE-7QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P400-FGG484
Microsemi Corporation
EP1S20F484I6N
Intel
5SEE9F45C2LN
Intel
XC6VHX380T-2FFG1154C
Xilinx Inc.
XC6VLX195T-1FFG1156C
Xilinx Inc.
EP2AGX65DF29I3
Intel
5SGSMD4H3F35I4N
Intel
EPF6016AFC100-1
Intel