casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / W989D2DBJX6I
Número de pieza del fabricante | W989D2DBJX6I |
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Número de parte futuro | FT-W989D2DBJX6I |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
W989D2DBJX6I Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - Mobile LPSDR |
Tamaño de la memoria | 512Mb (16M x 32) |
Frecuencia de reloj | 166MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 15ns |
Tiempo de acceso | 5ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.95V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 90-TFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 90-VFBGA (8x13) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
W989D2DBJX6I Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | W989D2DBJX6I-FT |
W9412G6JH-5I
Winbond Electronics
W9412G6KH-4
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W9412G6KH-4 TR
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W9425G6KH-5I
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XC2VP70-6FF1517C
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XC7S75-2FGGA676I
Xilinx Inc.
A3P600-2PQG208I
Microsemi Corporation
5SGXMA4K2F40C3N
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10CX105YF672I6G
Intel
XC7K70T-2FBG484I
Xilinx Inc.
XC7S15-2CPGA196C
Xilinx Inc.
LCMXO2-1200ZE-2MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K2F35I1SG
Intel
EP20K60EFC324-3N
Intel