casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / IS61QDP2B21M36A-333M3L
Número de pieza del fabricante | IS61QDP2B21M36A-333M3L |
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Número de parte futuro | FT-IS61QDP2B21M36A-333M3L |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IS61QDP2B21M36A-333M3L Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Synchronous, QUADP |
Tamaño de la memoria | 36Mb (1M x 36) |
Frecuencia de reloj | 333MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | 8.4ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.71V ~ 1.89V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 165-LBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 165-LFBGA (15x17) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IS61QDP2B21M36A-333M3L Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IS61QDP2B21M36A-333M3L-FT |
IS43LR16640A-5BL-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43LR16640A-5BLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43LR16640A-5BLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43LR16640A-6BL
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43LR16640A-6BL-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43LR16640A-6BLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43LR16640A-6BLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43DR86400D-3DBI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43DR86400D-3DBI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43DR86400E-3DBLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
XC6SLX100-2FG484I
Xilinx Inc.
EP4S100G2F40I1N
Intel
5SGXMA5H2F35I3LN
Intel
A1020B-PL44C
Microsemi Corporation
XC5VLX330T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
XC6SLX4-2CPG196I
Xilinx Inc.
A54SX32A-FBG329
Microsemi Corporation
LCMXO2-256ZE-2UMG64I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C4LN
Intel