casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / IS61QDP2B21M36A-333M3L
Número de pieza del fabricante | IS61QDP2B21M36A-333M3L |
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Número de parte futuro | FT-IS61QDP2B21M36A-333M3L |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IS61QDP2B21M36A-333M3L Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Synchronous, QUADP |
Tamaño de la memoria | 36Mb (1M x 36) |
Frecuencia de reloj | 333MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | 8.4ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.71V ~ 1.89V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 165-LBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 165-LFBGA (15x17) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IS61QDP2B21M36A-333M3L Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IS61QDP2B21M36A-333M3L-FT |
IS43LR16640A-5BL-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43LR16640A-5BLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43LR16640A-5BLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43LR16640A-6BL
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43LR16640A-6BL-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43LR16640A-6BLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43LR16640A-6BLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43DR86400D-3DBI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43DR86400D-3DBI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43DR86400E-3DBLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
XA6SLX75-2FGG484Q
Xilinx Inc.
A3PE3000-PQ208
Microsemi Corporation
A42MX16-2VQG100
Microsemi Corporation
EP3C16F256I7
Intel
5SGSED6K1F40C2L
Intel
XC5VLX50T-2FF1136C
Xilinx Inc.
XC7K160T-L2FFG676E
Xilinx Inc.
XC4VLX15-11FF676I
Xilinx Inc.
LFE2-70SE-6F672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-4MN132I
Lattice Semiconductor Corporation