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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR86400E-3DBLI

Número de pieza de MFG
IS43DR86400E-3DBLI
Cantidad disponible
36150 Piezas
Precio de referencia
USD 5.704
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Fecha de envío
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fabricante
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Breve descripción
- IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Memoria
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
IS43DR86400E-3DBLI.pdf
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Número de pieza del fabricante IS43DR86400E-3DBLI
Número de parte futuro FT-IS43DR86400E-3DBLI
SPQ / MOQ Contáctenos
Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie -
IS43DR86400E-3DBLI Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo de memoria Volatile
Formato de memoria DRAM
Tecnología SDRAM - DDR2
Tamaño de la memoria 512Mb (64M x 8)
Frecuencia de reloj 333MHz
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página 15ns
Tiempo de acceso 450ns
interfaz de memoria Parallel
Suministro de voltaje 1.7V ~ 1.9V
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caja 60-TFBGA
Paquete del dispositivo del proveedor 60-TWBGA (8x10.5)
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IS43DR86400E-3DBLI Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto IS43DR86400E-3DBLI-FT

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