casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / IS61LPS25636A-200B3LI
Número de pieza del fabricante | IS61LPS25636A-200B3LI |
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Número de parte futuro | FT-IS61LPS25636A-200B3LI |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IS61LPS25636A-200B3LI Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Synchronous |
Tamaño de la memoria | 9Mb (256K x 36) |
Frecuencia de reloj | 200MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | 3.1ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 3.135V ~ 3.465V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 165-TBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 165-TFBGA (13x15) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IS61LPS25636A-200B3LI Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IS61LPS25636A-200B3LI-FT |
71V67603S133BQG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V67603S133BQG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V67603S133BQGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V67603S133BQGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V67603S133BQI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V67603S133BQI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V67603S150BQ
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V67603S150BQ8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V67603S150BQG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V67603S150BQG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
A40MX02-VQ80M
Microsemi Corporation
LAXP2-5E-5TN144E
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V40-5FG256I
Xilinx Inc.
XC4010E-4PQ208C
Xilinx Inc.
XC7A25T-2CSG325C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FGG256
Microsemi Corporation
AGL060V2-VQ100
Microsemi Corporation
EP4CE15U14A7N
Intel
EPF10K30EFC256-2N
Intel
EPF8636AQC208-3
Intel