casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / 71V67603S133BQGI
Número de pieza del fabricante | 71V67603S133BQGI |
---|---|
Número de parte futuro | FT-71V67603S133BQGI |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
71V67603S133BQGI Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Synchronous |
Tamaño de la memoria | 9Mb (256K x 36) |
Frecuencia de reloj | 133MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | 4.2ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 3.135V ~ 3.465V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 165-TBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 165-CABGA (13x15) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
71V67603S133BQGI Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 71V67603S133BQGI-FT |
71V3556SA100BQGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V3556SA100BQGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V3556SA100BQI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V3556SA100BQI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V3556SA133BQ
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V3556SA133BQ8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V3556SA133BQG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V3556SA133BQG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V3556SA133BQI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V3556SA133BQI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
A40MX02-VQ80M
Microsemi Corporation
LAXP2-5E-5TN144E
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V40-5FG256I
Xilinx Inc.
XC4010E-4PQ208C
Xilinx Inc.
XC7A25T-2CSG325C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FGG256
Microsemi Corporation
AGL060V2-VQ100
Microsemi Corporation
EP4CE15U14A7N
Intel
EPF10K30EFC256-2N
Intel
EPF8636AQC208-3
Intel