casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / IS43DR16640B-25EBLI
Número de pieza del fabricante | IS43DR16640B-25EBLI |
---|---|
Número de parte futuro | FT-IS43DR16640B-25EBLI |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IS43DR16640B-25EBLI Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - DDR2 |
Tamaño de la memoria | 1Gb (64M x 16) |
Frecuencia de reloj | 400MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 15ns |
Tiempo de acceso | 450ps |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.9V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 84-TFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 84-TWBGA (8x12.5) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IS43DR16640B-25EBLI Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IS43DR16640B-25EBLI-FT |
EMFP112A3PB-DV-F-R TR
Micron Technology Inc.
F320BJHEPTTL60
Sharp Microelectronics
F320BJHEPTTL90
Sharp Microelectronics
F800BJHEPTTL90
Sharp Microelectronics
FM27C256Q120
ON Semiconductor
FM27C256Q150
ON Semiconductor
FM27C256QE150
ON Semiconductor
FM27C256V120
ON Semiconductor
FM27C256V150
ON Semiconductor
FM27C512Q120
ON Semiconductor
XC7A50T-2FG484I
Xilinx Inc.
XC4028XL-2BG256I
Xilinx Inc.
A42MX09-1TQG176M
Microsemi Corporation
M1A3P400-FGG144
Microsemi Corporation
LFEC6E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50E-6F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO256C-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S80F1508C7
Intel
EP4CE55F29I8L
Intel
EP20K600CB652C8
Intel