casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / FM27C512Q120
Número de pieza del fabricante | FM27C512Q120 |
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Número de parte futuro | FT-FM27C512Q120 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FM27C512Q120 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | EPROM |
Tecnología | EPROM - UV |
Tamaño de la memoria | 512Kb (64K x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | 120ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 4.5V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 28-CDIP (0.600", 15.24mm) Window |
Paquete del dispositivo del proveedor | 28-CDIP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FM27C512Q120 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FM27C512Q120-FT |
EDFA332A3PB-JD-F-D
Micron Technology Inc.
EDFA332A3PB-JD-F-R TR
Micron Technology Inc.
EDFA364A3MA-GD-F-D
Micron Technology Inc.
EDFA364A3MA-GD-F-R
Micron Technology Inc.
EDFA364A3MA-GD-F-R TR
Micron Technology Inc.
EDFA364A3PD-JDTJ-F-R
Micron Technology Inc.
EDFA364A3PK-GD-F-D
Micron Technology Inc.
EDFB164A1MA-GD-F-D
Micron Technology Inc.
EDFB164A1MA-GD-F-R TR
Micron Technology Inc.
EDFB164A1MA-JD-F-D
Micron Technology Inc.
LCMXO2-1200ZE-1UWG25ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S25B672C6N
Intel
XC2V1000-4BGG575C
Xilinx Inc.
XC5VLX50T-2FFG1136C
Xilinx Inc.
AGL125V5-QNG132
Microsemi Corporation
ICE40LP1K-CM121
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C4N
Intel
EPF10K30RC208-3N
Intel
5SGXMA3H1F35C1N
Intel