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Infineon Technologies IRLML2502TRPBF

Número de pieza de MFG
IRLML2502TRPBF
Cantidad disponible
22830 Piezas
Precio de referencia
USD 0.123424
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fabricante
Infineon Technologies
Breve descripción
HEXFET® MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT-23
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie HEXFET®
IRLML2502TRPBF Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 4.2A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45 mOhm @ 4.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 5V
Vgs (Max) ±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 740pF @ 15V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 1.25W (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor Micro3™/SOT-23
Paquete / Caja TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRLML2502TRPBF Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto IRLML2502TRPBF-FT

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