casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IXTQ102N20T
Número de pieza del fabricante | IXTQ102N20T |
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Número de parte futuro | FT-IXTQ102N20T |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchHV™ |
IXTQ102N20T Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 200V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 102A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23 mOhm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 114nC @ 10V |
Vgs (Max) | - |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 6800pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 750W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-3P |
Paquete / Caja | TO-3P-3, SC-65-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXTQ102N20T Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IXTQ102N20T-FT |
IXTP64N055T
IXYS
IXTP6N50P
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IXYS
IXTP8N50P
IXYS
XC6SLX100T-N3FG900C
Xilinx Inc.
M2GL050TS-1FGG484I
Microsemi Corporation
EP2A40F672C7
Intel
EP3SL200F1517C4
Intel
XC7A200T-2FB484I
Xilinx Inc.
XC6VCX195T-1FFG1156I
Xilinx Inc.
LFEC33E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K10LC84-4
Intel
EPF81188ARC240-2
Intel
EP1C12Q240C7
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