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Infineon Technologies IRLML2502GTRPBF

Name: IRLML2502GTRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRLML2502GTRPBF
Availability: InStock
Rating: 4.6 (89 reviews)

Número de pieza de MFG: IRLML2502GTRPBF

Cantidad disponible: 49440 Piezas

Precio de referencia: USD 0

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: Infineon Technologies

Breve descripción: HEXFET® MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT-23-3

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: IRLML2502GTRPBF.pdf

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IRLML2502GTRPBF Presupuesto

Número de pieza del fabricante	IRLML2502GTRPBF
Número de parte futuro	FT-IRLML2502GTRPBF
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	HEXFET®
IRLML2502GTRPBF Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Discontinued at Future Semiconductor
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	4.2A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	45 mOhm @ 4.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.2V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	12nC @ 5V
Vgs (Max)	±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	740pF @ 15V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	1.25W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	Micro3™/SOT-23
Paquete / Caja	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRLML2502GTRPBF Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	IRLML2502GTRPBF-FT

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