casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IXTQ14N60P
Número de pieza del fabricante | IXTQ14N60P |
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Número de parte futuro | FT-IXTQ14N60P |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PolarHV™ |
IXTQ14N60P Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 600V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 14A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 550 mOhm @ 7A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 36nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2500pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 300W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-3P |
Paquete / Caja | TO-3P-3, SC-65-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXTQ14N60P Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IXTQ14N60P-FT |
IXTP7N60P
IXYS
IXTP7N60PM
IXYS
IXTP88N085T
IXYS
IXTP8N50P
IXYS
IXTP8N50PM
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IXTY08N120P
IXYS
XC2V250-5FG256I
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M2GL050-FGG484I
Microsemi Corporation
A3P1000-FGG484T
Microsemi Corporation
APA1000-PQ208M
Microsemi Corporation
LCMXO3L-9400C-6BG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA5K3F35C2L
Intel
XC5VLX50-2FFG1153C
Xilinx Inc.
XC6VLX550T-2FFG1759C
Xilinx Inc.
XCKU035-L1SFVA784I
Xilinx Inc.
5SGXMA3H1F35C2LN
Intel