casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRLI530N
Número de pieza del fabricante | IRLI530N |
---|---|
Número de parte futuro | FT-IRLI530N |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRLI530N Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 12A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 34nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±16V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 800pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 41W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220AB Full-Pak |
Paquete / Caja | TO-220-3 Full Pack |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRLI530N Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IRLI530N-FT |
IPA60R650CEXKSA1
Infineon Technologies
IPAN50R500CEXKSA1
Infineon Technologies
IPAW60R360P7SXKSA1
Infineon Technologies
IPAW60R280P7SXKSA1
Infineon Technologies
IPA60R099P6XKSA1
Infineon Technologies
IPAW60R600P7SXKSA1
Infineon Technologies
IPA60R400CEXKSA1
Infineon Technologies
IPA105N15N3GXKSA1
Infineon Technologies
IPA70R450P7SXKSA1
Infineon Technologies
IPA65R190C7XKSA1
Infineon Technologies
XC3S50A-4TQ144I
Xilinx Inc.
M1A3P400-FGG256
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP3C40F484C7N
Intel
10M40SAE144I7G
Intel
5SGXEBBR1H43C2LN
Intel
LCMXO2-7000HE-4FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC9C6F23I7N
Intel
EP20K200CB356C9
Intel
EPF8820AQC208-4AA
Intel