casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPA60R650CEXKSA1
Número de pieza del fabricante | IPA60R650CEXKSA1 |
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Número de parte futuro | FT-IPA60R650CEXKSA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ CE |
IPA60R650CEXKSA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 600V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 7A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 650 mOhm @ 2.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 200µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 20.5nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 440pF @ 100V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 28W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-TO220-FP |
Paquete / Caja | TO-220-3 Full Pack |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPA60R650CEXKSA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IPA60R650CEXKSA1-FT |
BSP316PH6327XTSA1
Infineon Technologies
BSP316PL6327HTSA1
Infineon Technologies
BSP317PE6327
Infineon Technologies
BSP317PE6327T
Infineon Technologies
BSP317PL6327HTSA1
Infineon Technologies
BSP318S E6327
Infineon Technologies
BSP318SL6327HTSA1
Infineon Technologies
BSP320S E6327
Infineon Technologies
BSP320S E6433
Infineon Technologies
BSP320SL6327HTSA1
Infineon Technologies
XC3S200-4FTG256I
Xilinx Inc.
XC4020XL-1PQ208C
Xilinx Inc.
M1AFS250-FG256
Microsemi Corporation
10M40DCF256C7G
Intel
5SGSED8K2F40I2N
Intel
XC2V2000-5FF896I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
A40MX04-PQG100M
Microsemi Corporation
LFEC15E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1SGX40GF1020I6
Intel