casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / BSP318SL6327HTSA1
Número de pieza del fabricante | BSP318SL6327HTSA1 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-BSP318SL6327HTSA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SIPMOS® |
BSP318SL6327HTSA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 2.6A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90 mOhm @ 2.6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 20µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 380pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 1.8W (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-SOT223-4 |
Paquete / Caja | TO-261-4, TO-261AA |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSP318SL6327HTSA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BSP318SL6327HTSA1-FT |
IPU60R950C6BKMA1
Infineon Technologies
IPU64CN10N G
Infineon Technologies
IPU78CN10N G
Infineon Technologies
IPU80R1K0CEAKMA1
Infineon Technologies
IPU80R1K0CEBKMA1
Infineon Technologies
IPU80R1K4CEAKMA1
Infineon Technologies
IPU80R1K4CEBKMA1
Infineon Technologies
IPU80R2K8CEAKMA1
Infineon Technologies
IPU80R2K8CEBKMA1
Infineon Technologies
IPUH6N03LB G
Infineon Technologies
LCMXO2-7000HE-6TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K50TC144-3N
Intel
XC6SLX9-L1FT256C
Xilinx Inc.
EP4SGX360KF43C2
Intel
XC7K70T-1FB484C
Xilinx Inc.
LFE3-35EA-7LFN484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-1300E-5MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7C6U19A7N
Intel
EP1S40F780C5
Intel
EPF6024AQC240-3
Intel