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Infineon Technologies IRLHS6342TRPBF

Name: IRLHS6342TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRLHS6342TRPBF
Price: 0.189504 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (770 reviews)

Número de pieza de MFG: IRLHS6342TRPBF

Cantidad disponible: 14350 Piezas

Precio de referencia: USD 0.189504

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: Infineon Technologies

Breve descripción: HEXFET® MOSFET N-CH 30V 8.7A PQFN

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: IRLHS6342TRPBF.pdf

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IRLHS6342TRPBF Presupuesto

Número de pieza del fabricante	IRLHS6342TRPBF
Número de parte futuro	FT-IRLHS6342TRPBF
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	HEXFET®
IRLHS6342TRPBF Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	8.7A (Ta), 19A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	15.5 mOhm @ 8.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.1V @ 10µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	11nC @ 4.5V
Vgs (Max)	±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	1019pF @ 25V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	2.1W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	6-PQFN (2x2)
Paquete / Caja	6-PowerVDFN
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRLHS6342TRPBF Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	IRLHS6342TRPBF-FT

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