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Infineon Technologies IRLHS6242TR2PBF

Número de pieza de MFG
IRLHS6242TR2PBF
Cantidad disponible
81190 Piezas
Precio de referencia
USD 0
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Fecha de envío
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fabricante
Infineon Technologies
Breve descripción
HEXFET® MOSFET N-CH 20V 10A PQFN
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
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Número de parte futuro FT-IRLHS6242TR2PBF
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie HEXFET®
IRLHS6242TR2PBF Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 10A (Ta), 12A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.7 mOhm @ 8.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.1V @ 10µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 4.5V
Vgs (Max) ±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1110pF @ 10V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 1.98W (Ta), 9.6W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor 6-PQFN (2x2)
Paquete / Caja 6-PowerVDFN
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRLHS6242TR2PBF Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto IRLHS6242TR2PBF-FT

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