casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRL6342TRPBF
Número de pieza del fabricante | IRL6342TRPBF |
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Número de parte futuro | FT-IRL6342TRPBF |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRL6342TRPBF Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 9.9A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14.6 mOhm @ 9.9A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 10µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±12V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1025pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 2.5W (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SO |
Paquete / Caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRL6342TRPBF Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IRL6342TRPBF-FT |
SPP80N06S2L-05
Infineon Technologies
SPP80N06S2L-06
Infineon Technologies
SPP80N06S2L-07
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SPP80N06S2L-09
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SPP80N06S2L-11
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SPP80N08S2-07
Infineon Technologies
SPP80N08S2L-07
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AFS090-2FG256I
Microsemi Corporation
AGL1000V5-FGG256I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300C-5BG324I
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