casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SPP80N06S2L-07
Número de pieza del fabricante | SPP80N06S2L-07 |
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Número de parte futuro | FT-SPP80N06S2L-07 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
SPP80N06S2L-07 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 55V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 80A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7 mOhm @ 60A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 150µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 130nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 4210pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 210W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-TO220-3-1 |
Paquete / Caja | TO-220-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SPP80N06S2L-07 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SPP80N06S2L-07-FT |
IPP80N08S406AKSA1
Infineon Technologies
IPP80P03P405AKSA1
Infineon Technologies
IPP80P03P4L07AKSA1
Infineon Technologies
IPP80P04P405AKSA1
Infineon Technologies
IPP80P04P407AKSA1
Infineon Technologies
IPP80P04P4L04AKSA1
Infineon Technologies
IPP80P04P4L06AKSA1
Infineon Technologies
IPP80P04P4L08AKSA1
Infineon Technologies
IPP80R280P7XKSA1
Infineon Technologies
IPP90N04S402AKSA1
Infineon Technologies
EX128-TQ100
Microsemi Corporation
XC3S50A-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1CQ256
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
A42MX16-VQG100M
Microsemi Corporation
EP1SGX10CF672C7N
Intel
10AX016C3U19I2LG
Intel
10CL025ZE144I8G
Intel
5SGXEA7H3F35I4
Intel
EP3SE50F780I3
Intel