casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRFZ46NSTRRPBF
Número de pieza del fabricante | IRFZ46NSTRRPBF |
---|---|
Número de parte futuro | FT-IRFZ46NSTRRPBF |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRFZ46NSTRRPBF Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 55V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 53A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16.5 mOhm @ 28A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 72nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1696pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 3.8W (Ta), 107W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | D2PAK |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFZ46NSTRRPBF Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IRFZ46NSTRRPBF-FT |
IRFS3307PBF
Infineon Technologies
IRFS3307TRLPBF
Infineon Technologies
IRFS3307ZPBF
Infineon Technologies
IRFS3307ZTRRPBF
Infineon Technologies
IRFS33N15D
Infineon Technologies
IRFS33N15DPBF
Infineon Technologies
IRFS33N15DTRLP
Infineon Technologies
IRFS3507
Infineon Technologies
IRFS3507TRLPBF
Infineon Technologies
IRFS3607PBF
Infineon Technologies
XC3S200-4FTG256I
Xilinx Inc.
XC4020XL-1PQ208C
Xilinx Inc.
M1AFS250-FG256
Microsemi Corporation
10M40DCF256C7G
Intel
5SGSED8K2F40I2N
Intel
XC2V2000-5FF896I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
A40MX04-PQG100M
Microsemi Corporation
LFEC15E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1SGX40GF1020I6
Intel