casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRFS3307PBF
Número de pieza del fabricante | IRFS3307PBF |
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Número de parte futuro | FT-IRFS3307PBF |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRFS3307PBF Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 75V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 120A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.3 mOhm @ 75A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 150µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 180nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 5150pF @ 50V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 200W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | D2PAK |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFS3307PBF Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IRFS3307PBF-FT |
IRF3711ZCSTRR
Infineon Technologies
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A3P015-1QNG68
Microsemi Corporation
5SGXMA7N1F40C2N
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5SGXEA7N1F45I2N
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5SGXMB5R1F43C1N
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EP4CGX15BF14I7N
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XC6VLX195T-1FFG784I
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XC2VP7-6FF672I
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-6FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-4FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70HF35I3N
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